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碳化硅(SiC)器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

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陜西開爾文測控技術(shù)有限公司

  • 聯(lián)系人:杜浩晨
  • 官網(wǎng)地址:www.kewtest.cn
  • 經(jīng)營模式:制造商
  • 主營產(chǎn)品:IGBT測試儀,IGBT測試系統(tǒng),半導(dǎo)體器件測試儀,軌道交通IGBT測試儀
  • 所在地:陜西省#陜西省陜西省西安市高新區(qū)工業(yè)園發(fā)展大道26號
  • 供應(yīng)產(chǎn)品:55
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產(chǎn)品詳情

Product details

碳化硅(SiC)器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)本測試系統(tǒng)具有高測試精度、高靈敏度、高可靠性、高安全性的特點,實現(xiàn)碳化硅二極管、MOSFET器件開通時間、關(guān)斷時間、快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時間、反向電流及反向恢復(fù)電荷等測試,通過計算機控制,示波器采集波形,由計算機處理數(shù)據(jù)并顯示測試結(jié)果。 主要技術(shù)參數(shù): 測試產(chǎn)品:SiC FRD,MOSFET(兼容Si基產(chǎn)品) 測試能力: a、開關(guān)時間測試 測試條件:ID:1A~1000A,VDS:5V~3500V,VGS:-10V~20V,Rg:手動可調(diào),阻性,感性負(fù)載 可切換 測試參數(shù):td(on)\tr\td(off)\tf:.01nS-200nS,Eon\Eoff:10uJ~100mJ B、反向恢復(fù)特性測試 測試條件:IF:1A~1000A,VR:5V~3500V, di/dt:50A/us~10000A/us 測試參數(shù):trr:0.1nS-200nS,QC:1nC~1uC,lrm:1A~200A,Erec:0.1uJ~1mJ C、短路電流測試 測試條件:Pulse width:1us~100us,VDS:5V~3500V 測試參數(shù):Peak ID:10A~1000A,Delta Vds:10V~200V碳化硅(SiC)器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

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  • 聯(lián)系人職位:經(jīng)理
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